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局部腦缺血再灌注損傷對小鼠TMEM基因和神經細胞自噬的影響

  目的: 觀察局部腦缺血再灌注損傷對小鼠 TMEM166 基因和神經細胞自噬的影響。

  方法:C57 / BL6J 小鼠 50 只,線栓法制作大腦中動脈栓塞( middle cerebral artery occlusion,MCAO) 局部腦缺血模型,隨機分為再灌注 6,12,24,48 h 組。  通過免疫組化染色觀察缺血側大腦皮層及基底核 TMEM166、LC3?II 的陽性細胞數量變化,Western blot 檢測不同再灌注時間 TMEM166、LC3?II 蛋白水平的表達。

  結果:  缺血側 TMEM166 隨再灌注時間延長而增加,24 h 達到高峰;再灌注6 h 后LC3?II 表達出現,同樣隨再灌注時間而增加,24 h 達到高峰。  缺血側自噬細胞數量的變化趨勢與 TMEM166 基本一致,對側大腦半球上述指標無明顯變化。

  結論: 小鼠局部腦缺血再灌注損傷可以誘導 TMEM166 的表達,通過激活 LC3?II 引起神經細胞自噬。

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